Transistor bipolaire BDT91

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 200
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT91 est le BDT92.Vous pouvez remplacer le transistor BDT91 par BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95 ou BDT95F.