Transistor bipolaire BDT81

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT81 est le BDT82.Vous pouvez remplacer le transistor BDT81 par 2SC4552, 2SC4552-K, 2SC4552-L, 2SC4552-M, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 ou MJF6388G.