Caractéristiques électriques du transistor 2SB761A-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 40 à 90
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB761A-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB761A-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 90. Le gain en courant continu du 2SB761A est compris entre 40 à 250, celui du 2SB761A-P entre 120 à 250, celui du 2SB761A-Q entre 70 à 150.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB761A-R peut n'être marqué que B761A-R.
Complémentaire du transistor 2SB761A-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB761A-R est le 2SD856A-R.
Version SMD du transistor 2SB761A-R
Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB761A-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB761A-R