Bipolartransistor KSB985-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000 bis 5000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SD985-M transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB985-R kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB985 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des KSB985-O im Bereich von 4000 bis 10000, die des KSB985-Y im Bereich von 8000 bis 30000.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSB985-R ist der KSB794-R.Sie können den Transistor KSB985-R durch einen 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-M, 2SD985, 2SD985-M, 2SD986, 2SD986-M, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB986, KSB986-R, KSD1692, KSD1692-O, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.