Bipolartransistor BD679A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD679A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE803 transistor

Pinbelegung des BD679A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD679A equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD679A ist der BD680A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD679A

Sie können den Transistor BD679A durch einen 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD679AG-Transistor ist die bleifreie Version des BD679A.
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