Bipolartransistor MJE270G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE270G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1500
  • Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der MJE270G ist die bleifreie Version des MJE270-Transistors

Pinbelegung des MJE270G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE270G ist der MJE271G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE270G

Sie können den Transistor MJE270G durch einen 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O, KSD1692-Y oder MJE270 ersetzen.
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