Bipolartransistor BD681G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD681G

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Der BD681G ist die bleifreie Version des BD681-Transistors

Pinbelegung des BD681G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD681G ist der BD682G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD681G

Sie können den Transistor BD681G durch einen BD681 ersetzen.

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