Bipolartransistor KSE803

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE803

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE803 transistor

Pinbelegung des KSE803

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSE803 ist der KSE703.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE803

Sie können den Transistor KSE803 durch einen 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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