Bipolartransistor KSB985

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000 bis 30000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SD985 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB985 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB985-O liegt im Bereich von 4000 bis 10000, die des KSB985-R im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB985-Y im Bereich von 8000 bis 30000.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSB985 ist der KSB794.Sie können den Transistor KSB985 durch einen 2SD1509, 2SD985, 2SD986, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB986, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.