Bipolartransistor BD779

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD779 ist der BD780.Sie können den Transistor BD779 durch einen 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.