Bipolartransistor MJE244

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE244

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE244

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE244 ist der MJE254.

SMD-Version des Transistors MJE244

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE244-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE244

Sie können den Transistor MJE244 durch einen 2SD1725, 2SD1725-Q, 2SD1725-R, 2SD1725-R, 2SD1725-S, BD681, BD681G, BD791, MJE243 oder MJE243G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com