Bipolartransistor BD679

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD679

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE802 transistor

Pinbelegung des BD679

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD679 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD679 ist der BD680.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD679

Sie können den Transistor BD679 durch einen 2N6039, 2N6039G, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD679G-Transistor ist die bleifreie Version des BD679.
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