Bipolartransistor BD777

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD777 ist der BD778.Sie können den Transistor BD777 durch einen 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.