Bipolartransistor MJE801G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE801G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE801G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE801G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE801G ist der MJE701G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE801G

Sie können den Transistor MJE801G durch einen 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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