Bipolartransistor 2SD985

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000 bis 30000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD985 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD985-K liegt im Bereich von 8000 bis 30000, die des 2SD985-L im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SD985-M im Bereich von 2000 bis 5000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD985-Transistor könnte nur mit "D985" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD985 ist der 2SB794.Sie können den Transistor 2SD985 durch einen 2SD1509, 2SD986, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB985, KSB986, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.