Bipolartransistor KSB986
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB986
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 30000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD986 transistor
Pinbelegung des KSB986
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB986
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