Bipolartransistor KSB986

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB986

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 30000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD986 transistor

Pinbelegung des KSB986

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB986 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB986-O liegt im Bereich von 4000 bis 10000, die des KSB986-R im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB986-Y im Bereich von 8000 bis 30000.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSB986 ist der KSB795.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB986

Sie können den Transistor KSB986 durch einen 2SD1509, 2SD986, BD169, BD237, BD237G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE722, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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