Bipolartransistor MJE803G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE803G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE803G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE803G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE803G ist der MJE703G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE803G

Sie können den Transistor MJE803G durch einen 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G oder MJE803 ersetzen.
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