Bipolartransistor 2N6039

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6039

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N6039

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6039 ist der 2N6036.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6039

Sie können den Transistor 2N6039 durch einen 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N6039G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N6039.
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