Bipolartransistor KSE802

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE802

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE802 transistor

Pinbelegung des KSE802

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSE802 ist der KSE702.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE802

Sie können den Transistor KSE802 durch einen 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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