Bipolartransistor 2N6038G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6038G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der 2N6038G ist die bleifreie Version des 2N6038-Transistors

Pinbelegung des 2N6038G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6038G ist der 2N6035G.

SMD-Version des Transistors 2N6038G

Der FZT692B (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N6038G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6038G

Sie können den Transistor 2N6038G durch einen 2N6038, 2N6039, 2N6039G, BD189, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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