Bipolartransistor 2SD986

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD986

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 30000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD986

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD986 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD986-K liegt im Bereich von 8000 bis 30000, die des 2SD986-L im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SD986-M im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD986-Transistor könnte nur mit "D986" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD986 ist der 2SB795.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD986

Sie können den Transistor 2SD986 durch einen 2SD1509, BD169, BD237, BD237G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSB986, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE722, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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