Bipolartransistor BD537J

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 75
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD537J kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 75 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD537 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD537K im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD537J ist der BD538J.Sie können den Transistor BD537J durch einen 2N6100, 2N6101, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.