Bipolartransistor BD536J

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD536J

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD536J

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD536J kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 75 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD536 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD536K im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD536J ist der BD535J.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD536J

Sie können den Transistor BD536J durch einen 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538J, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD533K: 50 watts
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