Bipolartransistor BD175-6

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 60
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD175-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD175 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD175-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD175-16 im Bereich von 100 bis 250.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD175-6 ist der BD176-6.Sie können den Transistor BD175-6 durch einen 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, 2N5191, 2N5191G, 2N5192, 2N5192G, BD131, BD177, BD177-6, BD179, BD179-6, BD187, BD189, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD441, BD441G, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242 oder NTE184 ersetzen.