Bipolartransistor BD178-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD178-6

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD178-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD178-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD178 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD178-10 im Bereich von 63 bis 160.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD178-6 ist der BD177-6.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD178-6

Sie können den Transistor BD178-6 durch einen 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, 2N5194, 2N5194G, 2N5195, 2N5195G, BD180, BD180-6, BD180G, BD190, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254 oder NTE185 ersetzen.
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