Bipolartransistor BC857B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC857B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC857B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC857B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC857 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC857A im Bereich von 110 bis 220, die des BC857C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC857B ist der BC847B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC857B

Sie können den Transistor BC857B durch einen 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, BC807, BC856, BC856B, BC860, BC860B, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCW72LT1G, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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