Bipolartransistor BCW68

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW68

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW68

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW68 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW68F liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BCW68G im Bereich von 160 bis 400, die des BCW68H im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW68 ist der BCW66.
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