Bipolartransistor BCW72LT1G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW72LT1G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 10 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Der BCW72LT1G ist die bleifreie Version des BCW72LT1-Transistors

Pinbelegung des BCW72LT1G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW72LT1G ist der BCW70LT1G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW72LT1G

Sie können den Transistor BCW72LT1G durch einen 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, BC807, BC856, BC856B, BC857, BC857B, BC860, BC860B, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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