Bipolartransistor 2SA1366

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1366

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.4 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1366

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1366 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1366-D liegt im Bereich von 90 bis 180, die des 2SA1366-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA1366-F im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1366-Transistor könnte nur mit "A1366" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1366 ist der 2SC3441.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1366

Sie können den Transistor 2SA1366 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56 oder MMBT4354 ersetzen.
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