Bipolartransistor KSA812
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA812
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 600
- Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2SA812 transistor
Pinbelegung des KSA812
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA812
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