Bipolartransistor BC857

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC857

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC857

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC857 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC857A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC857B im Bereich von 200 bis 450, die des BC857C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC857 ist der BC847.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC857

Sie können den Transistor BC857 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC856, BC860, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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