Bipolartransistor PMBTA56
Elektrische Eigenschaften des Transistors PMBTA56
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular MPSA56 transistor
Pinbelegung des PMBTA56
Komplementärer NPN-Transistor
Transistor PMBTA56 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor PMBTA56
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