Bipolartransistor BC860B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC860B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC860B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC860B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC860 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC860A im Bereich von 110 bis 220, die des BC860C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC860B ist der BC850B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC860B

Sie können den Transistor BC860B durch einen 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, BC807, BC856, BC856B, BC857, BC857B, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCW72LT1G, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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