Bipolartransistor SMBTA55

Elektrische Eigenschaften des Transistors SMBTA55

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.33 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des SMBTA55

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der SMBTA55-Transistor ist als "s1G" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum SMBTA55 ist der SMBTA05.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SMBTA55

Sie können den Transistor SMBTA55 durch einen 2STR2160, BCW89, FMMT2907A, FMMT2907AR, FMMT591, FMMT591Q, KN2907AS, KST2907A, KTN2907AS, MMBT2907A, MMBT4355, MMBTA55, MMBTA56, PMBT2907A, PMBTA56, PMST2907A oder SMBTA56 ersetzen.
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