Bipolartransistor SMBTA55
Elektrische Eigenschaften des Transistors SMBTA55
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.33 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des SMBTA55
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor SMBTA55
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