Bipolartransistor MMBTA56

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBTA56

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des MMBTA56

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBTA56-Transistor ist als "2G" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MMBTA56 ist der MMBTA06.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBTA56

Sie können den Transistor MMBTA56 durch einen PBHV9115T, PMBTA56 oder SMBTA56 ersetzen.
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