Bipolartransistor BC807

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC807

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular BC327 transistor

Pinbelegung des BC807

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC807 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC807-16 liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC807-25 im Bereich von 160 bis 400, die des BC807-40 im Bereich von 250 bis 600.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC807 ist der BC817.

Transistor BC807 im TO-92-Gehäuse

Der BC327 ist die TO-92-Version des BC807.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC807

Sie können den Transistor BC807 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BCW68, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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