Bipolartransistor BC857C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC857C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC857C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC857C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC857 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC857A im Bereich von 110 bis 220, die des BC857B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC857C ist der BC847C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC857C

Sie können den Transistor BC857C durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC856, BC856C, BC860, BC860C, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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