Bipolartransistor BC856
Elektrische Eigenschaften des Transistors BC856
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Rauschzahl, max: 2 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des BC856
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BC856
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com