Bipolartransistor MMBT200

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT200

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Rauschzahl, max: 5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular PN200 transistor

Pinbelegung des MMBT200

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT200-Transistor ist als "N2" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MMBT200 ist der MMBT100.

Transistor MMBT200 im TO-92-Gehäuse

Der PN200 ist die TO-92-Version des MMBT200.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT200

Sie können den Transistor MMBT200 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC807, BCW68, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
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