Bipolartransistor BC856B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC856B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC856B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC856B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC856 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC856A im Bereich von 110 bis 220, die des BC856C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC856B ist der BC846B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC856B

Sie können den Transistor BC856B durch einen 2SA1163, 2SA1312, FMMTA56, KST56, MMBTA56, PMBTA56 oder SMBTA56 ersetzen.
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