Bipolartransistor BC856B
Elektrische Eigenschaften des Transistors BC856B
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Rauschzahl, max: 2 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des BC856B
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BC856B
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