Bipolartransistor SMBTA56

Elektrische Eigenschaften des Transistors SMBTA56

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.33 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des SMBTA56

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der SMBTA56-Transistor ist als "s2G" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum SMBTA56 ist der SMBTA06.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SMBTA56

Sie können den Transistor SMBTA56 durch einen MMBTA56, PBHV9115T oder PMBTA56 ersetzen.
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