Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB709A-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 460
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SB709A-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB709A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB709A liegt im Bereich von 160 bis 460, die des 2SB709A-Q im Bereich von 160 bis 460, die des 2SB709A-S im Bereich von 160 bis 460.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB709A-R-Transistor könnte nur mit "B709A-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB709A-R ist der 2SD601A-R.
