Bipolartransistor 2SB709A

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 460
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB709A kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB709A-Q liegt im Bereich von 160 bis 460, die des 2SB709A-R im Bereich von 160 bis 460, die des 2SB709A-S im Bereich von 160 bis 460.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB709A-Transistor könnte nur mit "B709A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB709A ist der 2SD601A.Sie können den Transistor 2SB709A durch einen 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, BC807, BC856, BC857, BC860, BCW68, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.