Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1407A-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1407A-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1407A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1407A liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SD1407A-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1407A-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1407A-R-Transistor könnte nur mit "D1407A-R" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SD1407A-R
Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1407A-R-Transistors.