Bipolartransistor 2SD1267-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1267-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1267-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1267-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1267 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD1267-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD1267-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1267-P-Transistor könnte nur mit "D1267-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1267-P ist der 2SB942-P.

SMD-Version des Transistors 2SD1267-P

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1267-P-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1267-P

Sie können den Transistor 2SD1267-P durch einen 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3253, 2SC3254, 2SC3255, 2SC3746, 2SC3747, 2SC3748, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1134, 2SD1267A, 2SD1267A-P, 2SD1269, 2SD1270, 2SD1271, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD823, 2SD857, 2SD857-P, 2SD857A, 2SD857A-P, 2SD866, 2SD866A, BD203, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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