Bipolartransistor 2SB772R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB772R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB772R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB772R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB772 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des 2SB772E im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB772GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB772O im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB772P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB772Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB772Y im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB772R-Transistor könnte nur mit "B772R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB772R ist der 2SD882R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB772R

Sie können den Transistor 2SB772R durch einen 2N4918, 2N4918G, 2N4919, 2N4919G, 2SB743, 2SB743-R, 2SB744, 2SB744-R, 2SB744A, 2SB744A-R, BD132, BD176, BD178, BD186, BD188, BD190, BD436, BD436G, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744-R, KSB744A, KSB744A-R, KSB772, KSB772-R, KSE170, KSE171, KSH772, KSH772-R, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE231, MJE232, MJE233, MJE234, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
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