Bipolartransistor KSB772-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB772-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772R transistor

Pinbelegung des KSB772-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB772-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB772 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des KSB772-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB772-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSB772-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB772-R ist der KSD882-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB772-R

Sie können den Transistor KSB772-R durch einen 2N4918, 2N4918G, 2N4919, 2N4919G, 2SB743, 2SB743-R, 2SB744, 2SB744-R, 2SB744A, 2SB744A-R, 2SB772, 2SB772R, BD132, BD176, BD178, BD186, BD188, BD190, BD436, BD436G, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744-R, KSB744A, KSB744A-R, KSE170, KSE171, KSH772, KSH772-R, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE231, MJE232, MJE233, MJE234, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
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