Bipolartransistor 2SB772P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB772P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB772 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des 2SB772E im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB772GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB772O im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB772Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB772R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB772Y im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB772P-Transistor könnte nur mit "B772P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB772P ist der 2SD882P.Sie können den Transistor 2SB772P durch einen 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB743, 2SB743-P, 2SB744, 2SB744-Y, 2SB744A, 2SB744A-Y, 2SB986, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB744, KSB744-Y, KSB744A, KSB744A-Y, KSB772, KSB772-Y, KSH772, KSH772-Y, KTB772, KTB772-Y, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.