Bipolartransistor MJE231

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE231

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE231

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE231 ist der MJE221.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE231

Sie können den Transistor MJE231 durch einen 2N4918, 2N4918G, 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE230, MJE232, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251 oder MJE252 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com