Caractéristiques électriques du transistor 2SB949A-P
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -2 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 4000 à 10000
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB949A-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB949A-P peut avoir un gain en courant continu de 4000 à 10000. Le gain en courant continu du 2SB949A est compris entre 2000 à 10000, celui du 2SB949A-Q entre 2000 à 5000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB949A-P peut n'être marqué que B949A-P.
Complémentaire du transistor 2SB949A-P
Le transistor NPN complémentaire du 2SB949A-P est le 2SD1275A-P.
Version SMD du transistor 2SB949A-P
Le BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) et BSP62T3G (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB949A-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB949A-P